Silisyòm Carbide tiyo kòn

Deskripsyon kout:

Sintering alfa Silisyòm carbure tiyo tib ki pwodui pa sintering ultra-pi poud sub-micron.Poud sa a melanje ak èd sintering ki pa oksid, Lè sa a, fòme nan fòm konplèks pa yon varyete metòd ak konsolide pa sintering nan tanperati ki pi wo a 3633 degre Fahrenheit.

Pwosesis sintering la rezilta nan yon sèl-faz carbure Silisyòm amann ki trè pi ak inifòm, ak nòmalman pa gen okenn porosite ki pèmèt materyèl yo kenbe tèt ak anviwònman korozif, anviwònman abrazif, ak anviwònman opere anba tanperati ki wo (2552 degre Fahrenheit).Pwopriyete sa yo fè carbure Silisyòm alfa sintered ideyal pou aplikasyon tankou revètman tiyo, revètman siklòn.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Karaktè pwodwi:

- Ba dansite, gwo fòs.
- Bon fòs tanperati ki wo (reyaksyon estokaj).
– Rezistans oksidasyon (reyaksyon kole).
- Ekselan rezistans chòk tèmik.
- Segondè dite ak rezistans mete.
- Ekselan rezistans chimik.
- Ba ekspansyon tèmik ak segondè konduktiviti tèmik.

Dat teknik:

Karaktè fizik	Inite	Pwopriyete
Kontni SIC	%	95-88
Gratis Si	%	5~12
Dansite esansyèl	g/cm3	> 3.01
Porosite	%	<0.1
Dite	Kg/mm2	2400
Koefisyan koube fòs nan 20 degre Sèlsiyis	Mpa	260
Koefisyan koube fòs nan 1200 degre Sèlsiyis	Mpa	280
Modil elastisite nan 20 Degre Sèlsiyis	Gpa	330
Severite frakti	Mpa*m1/2	3.3
Koefisyan konduktiviti tèmik nan 1200 degre Sèlsiyis	W/mk	45
Koefisyan ekspansyon tèmik nan 1200 degre Sèlsiyis	10-6mm/mmK	4.5
Koefisyan radyasyon chalè		<0.9
Max.Tanperati travay	℃	<1380
Remak: Done pwopriyete yo site yo se rezilta tipik ki soti nan moso tès yo ak Se poutèt sa yo ta dwe itilize sèlman kòm yon konsèy