半導体研磨、ダイヤモンド研磨などに使用されるアルミナセラミックウェハ研磨やサファイアラッピングディスクとして。
プロセス: CMP化学機械研磨、機械研磨、精密研磨などのあらゆるタイプの研磨およびラッピングプロセス。
高純度、耐薬品性
高い機械的強度と硬度
高い耐食性
高耐電圧
1700℃までの高温耐性
極めて優れた耐摩耗性能
優れた断熱性能
サイズ180、360、450、600mmなどの全タイプ
| 商品名 | 99.7高純度アルミナセラミック研磨ラッピングディスク |
| 材料 | 99.7% アルミナ |
| 通常サイズ | D180、360、450、600mm、カスタマイズされたサイズを受け入れます。 |
| 色 | 象牙 |
| 応用 | 半導体産業におけるウェーハおよびサファイアのCMPプロセス |
| 最低注文量 | 1写真 |
| ユニット | 99.7 アルミナセラミックス | ||
| 一般的なプロパティ | Al2O3含有量 | 重量% | 99.7-99.9 |
| 密度 | グラム/cc | 3.94-3.97 | |
| 色 | - | 象牙 | |
| 吸水 | % | 0 | |
| 機械的性質 | 曲げ強さ(MOR) 20℃ | Mpa(psix10^3) | 440-550 |
| 弾性率 20℃ | GPa (psix10^6) | 375 | |
| ビッカース硬さ | Gpa(kg/mm2) R45N | >=17 | |
| 曲げ強度 | GPA | 390 | |
| 引張強さ 25℃ | MPa(psix10^3) | 248 | |
| 破壊靱性 (KI c) | Mpa* m^1/2 | 4-5 | |
| 熱特性 | 熱伝導率(20℃) | W/mk | 30 |
| 熱膨張係数(25~1000℃) | 1x 10^-6/℃ | 7.6 | |
| 耐熱衝撃性 | ℃ | 200 | |
| 最高使用温度 | ℃ | 1700 | |
| 電気的特性 | 耐電圧(1MHz) | ac-kv/mm(acv/mil) | 8.7 |
| 誘電率(1MHz) | 25℃ | 9.7 | |
| 体積抵抗率 | オーム-センチメートル (25℃) | >10^14 | |
| オーム-cm (500℃) | 2×10^12 | ||
| オーム-cm (1000℃) | 2×10^7 |
カスタムオーダーも承ります。
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